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BSZ15DC02KDHXTMA1

功能描述：MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON

制造商：infineon technologies

系列：汽车级，AEC-Q101，HEXFET?

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 和 P 沟道互补型

FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源极电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5.1A， 3.2A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：55 毫欧 @ 5.1A， 4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.4V @ 110μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：2.8nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：419pF @ 10V

功率 - 最大值：2.5W

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商器件封装：PG-TSDSON-8-FL

标准包装：1

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